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芯片漏电分析方法





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  芯片漏电分析方法emmi,obirch介绍
 
  对於故障分析而言,微光显微镜(EmissionMicroscope,EMMI)是一种相当有用且效率极高的分析工具。主要侦测IC内部所放出光子。在IC元件中,EHP(ElectronHolePairs)Recombination会放出光子(Photon)。举例说明:在P-N结加偏压,此时N阱的电子很容易扩散到P阱,而P的空穴也容易扩散至N然後与P端的空穴(或N端的电子)做EHPRecombination。
 
  检测到亮点之情况:会产生亮点的缺陷-漏电结(JunctionLeakage);接触毛刺(Contactspiking);(热电子效应)Hotelectrons;闩锁效应(Latch-Up);氧化层漏电(Gateoxidedefects/Leakage(F-Ncurrent));多晶硅晶须(Poly-siliconfilaments);衬底损伤(Substratedamage);(物理损伤)Mechanicaldamage等。原来就会有的亮点-Saturated/Activebipolartransistors;-SaturatedMOS/DynamicCMOS;Forwardbiaseddiodes/Reverse;biaseddiodes(breakdown)等。
 
  侦测不到亮点之情况:不会出现亮点的故障-欧姆接触;金属互联短路;表面反型层;硅导电通路等。亮点被遮蔽之情况-BuriedJunctions及Leakagesitesundermetal,这种情况可以采用backside模式,但是只能探测近红外波段的发光,且需要减薄及抛光处理。OBIRCH(光束诱导电阻变化)光诱导电阻变化(OBIRCH)模式能快速准确的进行IC中元件的短路
 
  布线和通孔互联中的空洞、金属中的硅沉积等缺陷。其工作原理是利用激光束在恒定电压下的器件表面进行扫描,激光束部分能量转化为热能,如果金属互联线存在缺陷,缺陷处温度将无法迅速通过金属线传导散开,这将导致缺陷处温度累计升高,并进一步引起金属线电阻以及电流变化,通过变化区域与激光束扫描位置的对应,定位缺陷位置。OBIRCH模式具有高分辨能力,其测试精度可达nA级。PEM(PhotoEmissionMicroscope)光束诱导电阻变化(OBIRCH)功能与光发射(EMMI)常见集成在一个检测系统,合称PEM(PhotoEmissionMicroscope),两者互为补充,能够很好的应对绝大多数失效模式。
来源:济南鑫贝西生物技术有限公司生物安全柜厂家
















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